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重磅AM!中南大学范鑫铭教授&厦门大学杨勇教授聚焦正极材料新进展:相变过程的重新定义

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图1

01 成果概述

近日,中南大学范鑫铭教授/厦门大学杨勇教授课题组以单晶SC-N92为研究对象,结合多尺度表征模拟手段,首次完整揭示晶格弯曲诱导多级相变、相变持续放大内应力、应力集中催生晶内裂纹-化学降解机制。创新发现全新完整相变降解通路:O3层状相→O1畸变相→Fd-3m尖晶石LiNi2O4→Cmmm中间相Ni3O4→Fm-3m无序/有序岩盐相;证实Ni3O4是尖晶石向岩盐转变的关键不稳定中间产物,裂纹区域同步共存LiNi2O4、Ni3O4与岩盐三相,打破以往仅裂纹处生成岩盐的固有认知。该成果厘清超高镍单晶正极高压失效底层逻辑,为电压窗口调控、晶格应力缓冲、界面稳定改性等工程化策略提供原子尺度理论依据。该文章发表在国际顶级期刊AdvancedMaterials上。中南硕士/北理博士刘赟为本文第一作者

02 详细内容

超高镍SC-N92能量密度优势突出,但Ni占比提升加剧Ni3+/Ni4+还原失稳,高压脱锂下极易发生阳离子混排,是研究高压力化耦合降解的理想模型材料;选用2–5μm单晶形貌规避多晶晶界开裂干扰,可精准聚焦单晶颗粒内部本征应力与相变演化。本研究结合半电池+软包全电池、EIS、GITT、dQ/dV、倍率、长循环等多维度电化学测试,量化不同电压下容量衰减、电压衰减、阻抗增长、锂离子扩散系数DLi+变化;证明4.3V体系倍率、循环寿命、能量密度全面优于4.4/4.5V高压体系,高电压会急剧恶化Li+迁移动力学,极化持续增大。

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图2

FIB-SEM截面电镜,直观观测循环后颗粒表面与内部裂纹分布;定量测试颗粒断裂临界应力,证实晶格畸变越严重,颗粒力学强度下降,更易产生贯穿晶内裂纹。原子分辨HAADF-STEM+GPA应变分析,原子尺度捕捉晶格弯曲、层错、阳离子混排现象;GPA应变映射直接定位相变区域高应力集中区,建立“晶格弯曲—局部应力富集—多级相直接关联。

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图3

MD分子动力学模拟定量计算O3、O1、LiNi2O4、Ni3O4、岩盐各相Li+迁移速率与能垒;证实O3相二维通道传输最快,Ni3O4与有序岩盐几乎阻断锂离子扩散。

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图4

原位XRD实时监测充放电过程c轴晶格伸缩幅度;定量计算不同电压下晶格收缩率(4.3V仅3.91%,4.6V高达6.41%);证明高压诱发H2-H3剧烈不可逆相变,层状晶体取向紊乱、有序度大幅下降。COMSOL多物理场仿真(锂浓度+内应力耦合)可视化长循环后颗粒内部Li+浓度梯度与等效应力分布;高压体系锂分布极度不均,表层-体相浓度差巨大,诱发持续累积非均匀内应力,加剧颗粒机械破坏。

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5

DFT第一性原理(态密度、差分电荷、迁移能垒、COHP键级)解析不同相变界面电子转移规律;高压下多相界面键合强度过高,层间距收缩,大幅提升Li+迁移势垒,从电子层面解释动力学衰减机理。XANES/EXAFS/WT小波变换表征循环后Ni价态与Ni-O配位环境;4.3V体系维持高占比活性Ni3+/Ni4+,高压下大量Ni2+生成、Ni-O键长缩短,晶格配位结构严重破坏。

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6

TOF-SIMS深度剖析+XPS刻蚀表征逐层分析颗粒表层至体相电解液分解副产物(氟化物、磷酸盐、有机碳酸盐);高压下电解液深度渗透颗粒,生成厚且不均匀CEI膜,过渡金属大量溶出;4.3V可形成薄而稳定的界面膜,抑制副反应。LA-ICP-MS、正负极TEM定量检测石墨负极沉积溶出Ni元素含量;观测对应负极SEI膜形貌,证明正极高压降解会连锁破坏负极界面,双向损耗活性锂。

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图7

截止电压是调控SC-N92结构稳定性的核心变量:4.3V温和高压工况下晶格弯曲、c轴收缩、相变程度均被显著抑制,Li+均匀扩散,颗粒内应力低、机械强度高;4.5V及以上超高电压会触发剧烈连续相变,堵塞离子通道、应力持续累积。

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图8

03 核心结论

1.本工作首次建立单晶超高镍正极完整多级相变降解链:O3→O1→LiNi2O4尖晶石→Ni3O4中间相→无序/有序岩盐;晶格弯曲是内应力产生的直接诱因,应力集中反过来加速不可逆相变,二者形成正反馈循环,最终生成贯穿晶内微裂纹。

2.Ni3O4是尖晶石向岩盐转变的关键不稳定中间相,仅在高压裂纹畸变区域大量生成,该物相无连续Li+输运通道,是容量快速衰减的重要诱因;裂纹区域并非仅存在岩盐相,而是多相共存的复合畸变结构。

3.高压相变引发的结构破坏会造成连锁界面失效:过渡金属大量溶出、电解液深度分解,正极厚劣化CEI同步诱发负极不均匀厚SEI,持续消耗活性锂,形成“晶格畸变-内应力-相变-界面副反应”全链条失效。


4.应力-化学耦合相变机制填补单晶超高镍正极高压降解理论空白,为高能量密度电池电压窗口优化、晶格应力缓冲掺杂、界面包覆改性等实用化方案提供原子尺度指导。



04 文献详情

h t t p s://doi.org/10.1002/adma.73901

元能科技  2026-08-31  |  阅读:29
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