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参考报价：电议 型号：CVD
产地：上海 在线咨询
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设备特点
1. 升降温速度快，升温采用环形红外短波加热器，*快升温速率可达200℃/s，降温时通过将炉膛退出，实现对产品的快速降温；
2. 测温采用精准的S型金属热电偶直接测量产品表面，使加热工件的温度更加准确；
3. 控制数学控制数学模型采用先进的PID自学习模糊双闭环控制模式，使控温精度在快速升温的恒温状态仍能保持在±3℃；
4. 功能多样化，既可以用于材料的快速升降温退火，也可用于化学气相沉积（CVD）法，在镍或铜箔上制备石墨烯的制备。
设备参数
电源 | AC380~400V，50HZ（60Hz定制） |
**功率 | 15Kw |
额定温度 | 1100℃ |
使用温度 | ≤1000℃ |
反应腔室尺寸 | Φ100X200 |
温场均匀性 | ±3℃ |
温度控制模式 | 智能模糊全闭环PID控制 |
传感器内型 | S型单铂铑 |
*快升温速率 | 200℃/s |
降温速率 | 1～200℃/s（通氮气，速率更快） |
操作方式 | 触摸屏控制 |
真空系统 | 选配 |
进出气接口 | Φ6卡套 |
本产品接受非标定制 | |
