天通吉成机器技术有限公司
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    光伏单晶硅生长炉

    技术参数

    项目    系列  

    SiF950  

    SiF1050  

    SiF1100  

    SiF1200  

    腔体内径  

    Φ940mm  

    Φ1050mm  

    Φ1100mm  

    Φ1200mm  

    热场规格  

    20",22"  

    22",24"(标准),26"(可配)  

    24",26"(标准),28"(可配)  

    26",28",30"  

    晶棒直径  

    Φ155mm~Φ205mm        6"8"  

    Φ205mm~Φ254mm               8"10"  

    Φ205mm~Φ254mm                8"10"  

    Φ205mm~Φ254mm                8"10"  

    **结晶长度(直胴长度)  

    1350mm  

    1750mm2000mm  

    4000mmm  

    35004500mm  

    初期装料量追加装料后  

    120kg  150kg(追加)  

    150kg(标准) 170kg(追加)  

    190kg  300kg(追加)  

    400kg

    光伏单晶硅生长炉


    产品特点:  

    本设备具有装料量大,高拉速、低能耗、智能化的特点,配有内外置持续装料装置,是目前市场上具有代表性的高端设备,符合新一代电池片客户的需求。