PECVD镀膜设备

      PEVCD(等离子增强化学气相沉积)*重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250～400度的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能。PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，*近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用。近年来，PECVD在摩擦磨损、腐蚀防护和切削工具涂层应用方面获得了很大进展。

	PECVD设备可制备的薄膜 SiNx SiO2 α-Si Poly-Si GaAs膜 Si:H膜 SiC膜 DLC多晶硅 广泛应用于微电子和光电子领域科研和生产。
	PECVD沉积设备参数 特殊的平板式φ200*H150反应室 系统极限真空1*10-5Pa 带加热和气浴喷淋系统 电源：13.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 双电源 数字定时器，精度1秒 数字温度控制系统 工艺程序自动化 触摸屏控制、动画实时显示工艺过程的状况和提示 质量流量计4个；气路4路 ( 可增选 )。 样品加热：30～600℃，控温精度：≤ ±1℃ 强制循环水冷