Phenom Pharos G2 高分子薄膜微观缺陷观察用

Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，可用于高分子薄膜微观缺陷观察，帮助分析孔洞、颗粒、断面和表面结构。

Phenom Pharos G2 采用肖特基热场发射电子枪，电子光学放大倍数可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，适合对高分辨形貌、精细结构和微纳尺度特征有要求的研发与检测场景。

该产品具备台式化设计、低/中/高三种真空模式、背散射探测器、二次电子探测器，并可根据需求选配能谱探测器。具体配置和价格根据样品类型、成像需求及功能配置确定，可通过平台询价/留言入口获取官方选型建议，并预约试样。

技术规格

电子光学系统

真空与探测

功能特性

1. 搭载肖特基热场发射电子枪，满足高分辨 SEM 成像需求

2. 电子光学放大倍率上限 2,000,000 X

3. 分辨能力优于 1.5 nm，可应对微纳级结构表征

4. 加速电压 1 kV–20 kV 无级可调，适配不同样品荷电控制需求

5. 三档真空环境切换，兼容导电及非导电高分子材质

6. 背散射探测器与二次电子探测器为出厂标配；能谱探测器按需增配

7. 台式结构，科研、研发及检测类实验室常规工位即可部署

8. 提供选型咨询服务，支持试样预约

适用材质

• 高分子薄膜

• 塑料及塑料制品

• 包装材料

• 其他聚合物材质

典型用途

• 高分子薄膜微观瑕疵识别（孔洞、颗粒等）

• 塑料材质断面组织观测

• 包装材料表面结构检视

• 聚合物研发阶段表征

• 来料及成品质量管控

常见疑问

Q1：该设备适用于哪些场景？A：纳米材质、半导体、碳基材料、催化材料、陶瓷、锂电材料、光伏材料及高分子薄膜等领域的高分辨形貌表征。

Q2：能否实现成分判定？A：可按需扩展能谱探测器，对微区颗粒、外来异物或特定位置的元素组成进行分析。

Q3：设备报价如何确定？A：*终价格与主机配置、探测单元选型及具体应用需求挂钩。可通过平台询价通道提交需求，获取针对性选型建议并安排试样。

咨询通道

如需了解高分子薄膜微观缺陷观察用 Phenom Pharos G2 在高分子薄膜微观缺陷表征方向的详细配置、应用资料或商务报价，可通过粉体网平台询价/留言入口提交样品类型与测试需求，获取官方选型建议并预约试样。