中国粉体网讯   碳化硅（SiC）材料具有化学稳定性和热稳定性好、优良的耐腐蚀性、宽禁带、高硬度（莫氏硬度仅次于金刚石，可达到9.2~9.5）、高熔点以及良好的力学和热传导性能等特点，已经成为第三代半导体的核心材料。

目前，SiC材料因其优异的物理化学性质被挖掘出在航空航天、通讯、石油钻探、电磁波吸收、汽车轮船、化工和高温辐射等特殊环境下具有应用潜能，可作为复合材料增强体、雷达隐身材料和催化剂载体等功能材料。

陶瓷粉体的纯度、微观形貌和均匀度等性质会影响陶瓷产品的最终性能，因此实现碳化硅粉体材料的可控合成是目前碳化硅材料制备领域的研究重点。

碳化硅粉末的制备方法有机械破碎法、碳热还原法、高温合成法等固相方法，化学气相沉积法、等离子法等气相方法，以及溶胶-凝胶法等液相方法。机械破碎法工艺简单、成本较低，但制备的碳化硅粉末杂质过多、颗粒过大，需要进一步处理。碳热还原法是在真空或H2气氛中，将碳黑等碳源与二氧化硅或硅有机物混合后高温还原制备碳化硅，其原料价格低，工艺较成熟，是碳化硅粉末的主要工业生产方式，但也存在粉末纯度低和能耗大等问题。实际上，碳化硅粉末需要具备一定的纯度、粒度和形貌，该粉末主要采用化学气相沉积法、液相法和高温合成法制备。化学气相沉积法采用高纯碳源（甲烷、四氯化碳）与高纯有机硅源反应沉积，以其极高的纯度受到关注，但难以收集、制备效率低下、成本较高。

液相法是以蔗糖等碳源与含硅有机物制备溶胶，凝胶化后热处理获得高纯超细碳化硅粉体，但其工艺复杂，且存在诱导粉末过度生长为晶须等问题。高温合成法是以纯碳粉与硅粉在惰性气氛中升温保温实现合成反应，可制备出纯度较高的粉末。

从行业发展现状来看，高性能碳化硅粉体依然受成本、制备工艺制约，低成本高纯碳化硅粉体关键技术突破，对产业发展意义重大，也吸引众多科研人员深耕攻关，北京科技大学的李飞副研究员正是其中一员。

李飞简介

李飞，清华大学工学博士，北京科技大学新金属材料全国重点实验室副研究员、硕士生导师，博士后创新人才支持计划入选者，北科青年学者。主要从事先进陶瓷材料结构性能研究及前沿应用。聚焦高性能硅基陶瓷粉体可控制备与形核生长机理、半导体设备关键部件用先进陶瓷创新制备工艺、纳米晶陶瓷多级界面调控与烧结机理及强韧性能协同优化，致力于实现先进结构陶瓷的高性能化与工程化应用。

已发表SCI论文40余篇；授权中国发明专利6项；主持国家自然科学基金、博士后创新人才支持计划等多个科研项目；荣获博士后创新人才支持计划、北京市优秀毕业生、博士研究生国家奖学金等荣誉；担任中国材料进展、Rare metal等期刊青年编委及多个国际期刊审稿人。

2026年11月26日，中国粉体网将举办2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会。北京科技大学新金属材料全国重点实验室副研究员李飞将受邀参会，围绕“低成本高纯碳化硅粉体关键制备技术”相关内容作专题分享。

参考来源：

喻文瑞等.基于炭/炭复合材料加工余料制备碳化硅粉末的组织及性能

兰晓琳等.常压高温固相反应制备SiC陶瓷粉体的研究进展

（中国粉体网编辑整理/初末）

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