中国粉体网讯 2026年5月28日，由中国粉体网主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在合肥·新站利港喜来登酒店成功召开，会议期间，中国粉体网邀请到了多位业内专家、学者，优秀企业家代表做客“对话”栏目，就碳化硅单晶生长技术发展、晶体加工技术进展及设备应用、碳化硅产业发展趋势及原料制备技术进行了访谈交流。本期为您分享的是上海提牛科技股份有限公司副总经理葛林新的专访。
中国粉体网：请您简要介绍上海提牛科技股份有限公司的发展历程以及目前的核心业务定位。
葛总：上海提牛科技股份有限公司成立于2004年，深耕半导体湿制程装备领域二十多载，为客户提供高端湿法刻蚀清洗设备和定制化的工艺解决方案，二十年来始终坚守主业，不盲目跨界，确保在细分领域建立深厚的技术壁垒与护城河。
公司成立初期以半导体中央化学品供液系统（CDS）作为核心业务切入市场，随后顺势拓展半导体湿法设备品类，全面进入晶圆湿制程装备赛道，专注半导体湿制程领域设备的研发、生产、销售与配套技术服务；目前我司核心业务分为两大板块：一是各类槽式晶圆清洗设备、湿法酸碱刻蚀设备，覆盖RCA标准清洗、有机清洗、酸碱腐蚀等主流工艺，可适配硅基半导体、第二代和第三代半导体等多种晶圆；二是配套的中央供液系统（CDS）；产品主力面向4/6/8/12英寸晶圆市场，全力承接半导体湿制程领域设备的国产替代需求。
中国粉体网：针对碳化硅半导体行业，公司目前主推的核心设备和解决方案有哪些？
葛总：SiC晶圆具有硬度高、材质脆、表面杂质管控严苛、药液体系特殊等特点，针对碳化硅（SiC）的晶圆，公司推出定制化槽式湿法设备整体解决方案。核心主推设备包含：全自动槽式RCA清洗机、有机清洗机、酸碱湿法刻蚀设备等全系列机型，搭配自研L-CDS本地供液系统，可根据SiC晶圆材质、厚度、工艺要求做定制化适配，覆盖晶圆表面颗粒、有机物、金属离子去除及刻蚀制程全流程。同时可根据客户产线布局、无尘室等级、产能目标进行设备布局、工艺程序、运行逻辑的个性化定制，整套方案兼顾工艺稳定性、产能与良率要求。
中国粉体网：请您详细介绍一下湿法刻蚀清洗设备在整个SiC产业链里，处于什么关键位置、价值权重如何？
葛总：湿法清洗与湿法刻蚀是碳化硅全产业链中贯穿始终的核心刚需工序，处于产业链上游晶圆制造、中游外延加工、下游芯片封装测试的关键衔接环节。从工艺流程来看，SiC晶圆从原始晶棒切片开始，历经研磨、抛光、清洗、外延生长、光刻、刻蚀、再清洗等数十道工序，每一道关键工序前后都必须搭配湿法清洗/刻蚀设备，用于去除晶圆表面粉尘、颗粒、有机残留、金属杂质、光刻胶及各类工艺副产物。一旦清洗、刻蚀环节出现偏差，会直接造成晶圆表面缺陷、器件漏电、良率大幅下降，甚至整批产品报废。
从价值权重来讲，湿法刻蚀清洗设备属于SiC产线高权重核心工艺装备，它不直接生产芯片，却是保障产品良率、稳定工艺参数、控制生产成本的“基石装备”。在整条碳化硅产线设备投入中，湿制程设备占比高、使用频次高、运维周期长，设备的稳定性、工艺适配性、洁净等级直接决定整条产线的综合竞争力，是第三代半导体产业链不可替代的重要组成部分。
中国粉体网：面对国产替代浪潮和日益激烈的市场竞争，上海提牛科技的核心技术壁垒和差异化竞争力体现在哪些方面？
葛总：在当前国产替代加速、市场竞争日趋激烈的环境下，提牛科技的核心壁垒与差异化优势主要集中在设备本体技术与服务能力两方面，提牛的清洗设备具有占地面积小、运行稳定等优点，可根据客户需求定制设备，且公司拥有完整的现场安装、调试、培训、售后团队，响应速度快，可根据客户需求对设备进行升级改造；同时依托多年行业项目经验，能结合SiC工艺特点为客户提供设备选型、产线布局、工艺参数调试等配套技术建议。
中国粉体网：当前第三代半导体碳化硅产业正处于高速发展期，市场规模持续扩张。从产业链视角出发，您如何看待碳化硅晶圆清洗设备细分赛道的发展前景？
葛总：当前全球及国内第三代半导体碳化硅产业处于高速扩张阶段，下游新能源汽车、光伏逆变、储能、工业变频、轨道交通等领域对SiC功率器件的需求持续爆发，倒逼上游碳化硅晶圆产能快速扩容，进而直接带动上游湿法清洗、刻蚀设备的市场需求持续增长。长期来看，随着国内SiC产业链逐步向大尺寸、高端化、高良率方向发展，具备技术实力、稳定量产能力和完善服务体系的国产湿法设备厂商，市场份额将持续提升，整个细分赛道长期向好、发展潜力巨大。
中国粉体网：未来，上海提牛科技的产品迭代、技术研发和产能布局规划是什么？
葛总：产品端持续迭代现有中尺寸设备，优化自动化、控温配液等性能；研发重点发力12英寸大尺寸SiC晶圆湿制程设备，攻克高端工艺技术；产能与布局上，扩充产线提升交付能力，完善全国服务网点，同时深化工艺方案研发，延伸第三代半导体专属制程解决方案。
（中国粉体网编辑整理/初末）
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