中国粉体网讯  近日，山西天成半导体材料有限公司宣布重大技术突破：继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35mm厚，标志着公司在大尺寸碳化硅材料领域的技术实力再上新台阶。

来源：天成半导体

目前，天成半导体已完全掌握12英寸高纯半绝缘与N型碳化硅单晶生长的双成熟工艺，且其自研长晶设备可稳定产出直径达350mm的单晶材料。

作为第三代半导体的核心材料，碳化硅由碳、硅元素组成，具备高硬度、耐高压、耐高频、高热导性、高温稳定性及高折射率等优异物理化学性能，是推动多行业降本增效的关键材料。在应用场景中，碳化硅正加速推动半导体行业变革，同时在新能源汽车、充电桩、光伏储能、数据中心服务器等领域实现快速渗透；在 AR 眼镜等新兴领域，其凭借高折射率与高热导率两大核心特性，还能系统性解决视场角窄、彩虹伪影及散热难题，展现出高成长潜力。

公开资料显示，山西天成半导体有限公司成立于2021年8月，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。公司现已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线，公司不断迭代产品工艺，在大尺寸、低成本量产方面实现关键技术突破，率先研发出可量产的8-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料。

天成半导体称，公司将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，以先进成熟的工艺能力为基石，致力于为客户提供碳化硅材料生产中高品质、高可靠性的“装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案。

参考来源：天成半导体

（中国粉体网编辑整理/初末）

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