中国粉体网讯 

华为海思入局SiC领域，推出两款SiC器件

近期，华为旗下海思技术有限公司进军碳化硅功率器件领域，首批推出两款TO-247封装1200V SiC单管，面相工业高温、高压场景场景。两款产品具备优良的导通和快速开关特性，能够在高温高压环境下保持稳定性能。

新增两家12英寸SiC新玩家

7月23日，浙江晶越半导体有限公司宣布已成功研制出高品质12英寸SiC晶锭，这标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。同日，山西天成半导体材料有限公司也宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

天域半导体更新招股书！1-5月SiC营收2.57亿

7月22日，广东天域半导体股份有限公司再次向香港联合交易所提交上市申请，同时更新了招股说明书。招股书中更新公司营收情况，2025年前五个月天域半导体的营收约为2.57亿元，其中外延片收入占各年度/期间总收入的87.4%。

两家国际巨头联手碳化硅合作！

7月24日，安森美宣布其碳化硅功率器件EliteSiC将应用于舍弗勒为某全球整车厂打造的插电式混合动力（PHEV）平台。此次合作采用的是安森美最新一代基于沟槽结构的SiC MOSFET，安森美将为该平台提供独家器件供应。

碳化硅领域重大并购

近59亿，芯联集成即将完成对于芯联越州的100%控股，通过本次交易芯联集成将重点支持SiCMOSFET、高压模拟IC等更高技术产品和业务的发展。

烁科晶体年产100万毫米碳化硅单晶项目正式启动

7月30日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目在山西太原正式启动。项目投产后，将新增100万毫米碳化硅单晶和30万片碳化硅衬底的产能，并快速实现8英寸碳化硅衬底的产业化和12英寸碳化硅衬底的工程化应用。

全球新增一座SiC新工厂

7月28日，美国Coherent越南工厂正式落成。这座投资1.27亿美元的高科技制造工厂将主要生产SiC半导体、光学玻璃以及先进光电元件，广泛应用于智能手机、电动汽车等领域。

天岳先进SiC衬底产品供应日本市场

7月29日，天岳先进宣布已经开始向日本市场批量供应碳化硅衬底材料。日本工业新闻报道指出，曾经日本、欧洲的半导体厂家多采用中国以外的衬底材料，而如今既有价格优势又有质量优势的中国衬底将进一步扩大市场占有率。

江苏集芯首枚8英寸液相法碳化硅单晶研制成功

据徐州日报报道，近日，江苏集芯先进材料有限公司成功出炉首枚8英寸液相法高质量碳化硅单晶。据了解，江苏集芯在6/8英寸物理气相传输法已实现量产的基础上，仅用半年便完成液相法工艺从6英寸到8英寸的研发跨越。

投资300亿 ！英飞凌建全球最大碳化硅半导体厂

近期，媒体报道英飞凌已经落实在马来西亚300亿令吉（约合人民币504.8亿元）额外投资，在吉打居林高科技工业园建设全球最大8英寸碳化硅功率半导体工厂，为汽车、绿色工业电力和电源等领域提供助力。

（中国粉体网编辑整理/空青）

注：图片非商业用途，存在侵权告知删除