随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。

近年来，我国在SiC材料领域取得了显著进展，但与国际先进水平相比，在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题；晶圆加工方面，则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。

在此背景下，中国粉体网将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。常州臻晶半导体有限公司作为参展单位邀请您共同出席。

公司成立于2020年10月，位于常州武进区武宜南路377号国家高新区创业产业园。主营液相法SiC单晶炉及晶片，拥有集晶体生长、晶体晶片加工清洗检测全套碳化硅晶片研发平台和生产基地。拥有液相法单晶炉研制、稳定可靠热场体系、多元活性助溶剂配方、高品质低成本SiC长晶工艺等创新技术。

公司荣获2023年江苏省双创人才、常州市“龙城英才计划十七批领军人才创业类项目、2024年常州市种子独角兽企业等荣誉。致力于成为低成本、高品质碳化硅设备及材料世界龙头供应商。

公司拥有核心研发、技术人才，多位成员拥有几十年在化合物半导体领域的研发及产业化经验，设立研发部、生产部、销售部、采购部、财务部、行政人事部、知识产权部，质量部，是一支集科研、生产、销售于一体的完善创始团队。

产品介绍

1、碳化硅液相法电阻长晶炉

可视化

通过监控设备可以实时察看晶体生长界面和溶液状态。

兼容性强

兼容6-8英寸晶体生长,兼容P型、N型单晶生长，兼容PVT方法单晶生长。

工艺重复性好

电阻法的工艺参数相对容易控制和稳定，有利于研发阶段成功工艺的复刻，也有利于模量产阶段保证产品质量的一致性。

维护成本低

电阻法对热场的腐蚀更轻，同样的热场可以使用更多的炉次,降低热场更换频率并减少维护成本。

延展性强

客户可在我们提供的工艺包基础上自由拓展，匹配不同工艺路线。

技术路线更宽

电阻法制备碳化硅晶锭技术可以与其他先进的晶体生长技术或先进材料处理技术相结合，为碳化硅材料的研发和应用提供更多的可能性。

电阻炉的优势

温度控制更精准

电阻炉的加热器距离坩埚较近,辐射面积集中，可更精准地控制坩埚温度。

温度梯度更合理

电阻法独特的加热方式可以实现更合理的温度梯度能更好的减少晶体生长过程中出现的各种缺陷。

2、液相法sic籽晶-6英寸siC籽晶

●籽晶痛点

提高PVT生长SiC晶体品质最有效的方法就是使用更高品质的籽晶,而通过PVT法自身培育的籽晶，因PVT法自身的技术特点,培育的籽晶有微管、位错密度高,品质很难突破。

●液相法生长籽晶价值

SiC液相法生长温度相对较低,近平衡态生长,结晶质量高,易长厚,易扩径,因此培育的籽晶无微管,位错密度低，品质高。

3、柔性粘接工艺包&电阻加热烧结炉

柔性粘接

采用的柔性粘接工艺,后期有利于零损伤取单晶

工艺改善

优化改善碳化硅晶体生长应力问题

自动化控制

程序编撰，半自动化控制

精密化定位

精密配合，避免人员误差累积

适配性强

适合液相法生长使用，适合零基础

会务组

联系人：段经理

电话：13810445572

邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

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