当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI大数据、半导体先进封装、航空航天等领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。在“中国制造2025计划”和“十四五”规划中均被列为重点发展领域，但我国与国际先进水平相比，在碳化硅晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。

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 在此背景下，关键材料与制备工艺的协同创新成为突破瓶颈的核心路径之一。为加快推动我国SiC产业技术突破与成果转化，中国粉体网将于2026年5月28日在安徽·合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开交流探讨。

往届现场

300+参会代表，30+展商，全面展示第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工产业链最新技术和产品。重点展示碳化硅晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善关键技术等领域融合创新应用成果。

报名现已全面开启，下方识别二维码完成报名，后台审核通过后即可免费领取全国第三代半导体SiC产业分布地图，期待与您相会在大会现场！

报名渠道l  链接：https://cnpowder.mike-x.com/ZJBng 

公众号：关注“先进半导体晶体材料”

大会名称

第三届第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会

（SiC-3）

大会时间

2026年5月27日—28日

大会地点

合肥 喜来登酒店

主办单位

中国粉体网

中粉会展

先进半导体晶体材料

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