中国粉体网讯  近日，合盛硅业股份有限公司下属单位宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。

2024年，合盛硅业在碳化硅材料领域取得了重要突破，8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产。这是公司碳化硅项目研究过程中的重要里程碑，标志着合盛硅业在大尺寸碳化硅晶体、晶片制备技术上已跻身国际先进水平。

2025年5月，其在更大尺寸晶锭和衬底制备方面也实现较大进展，已突破12英寸的SiC长晶技术。

合盛硅业基于自主设计的SiC单晶生长炉以及多年的技术攻关，创新坩埚设计，使用多孔与涂层石墨技术，实现超大晶体所需的高通量生长。

碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。目前，SiC衬底尺寸从8英寸升级至12英寸也是行业的重要趋势，核心目的只有一个，那就是提高器件生产效率以降低成本。

12英寸SiC衬底相比8英寸，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

而大尺寸也为碳化硅加工工艺带来难度，12英寸衬底切割时热应力分布复杂，厚度偏差可能导致器件性能不稳定；在长晶方面，热场均匀性控制，在使用物理气相传输法PVT生长碳化硅时，12英寸晶圆需要更大的石墨坩埚和更高的温度。温度梯度不均会导致晶格缺陷（如微管、位错）增加，且热应力易引发晶体开裂。

此次，合盛硅业首次实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破，推动国产SiC产业链迈入新纪元，更为行业突破国际技术壁垒、实现自主可控发展提供了宝贵的经验和示范。

来源：合盛硅业、电子发烧友网

（中国粉体网编辑整理/空青）

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