中国粉体网讯  化学机械抛光技术具有独特的化学和机械相结合的效应，是在机械抛光的基础上，根据所要抛光的表面，加入相应的化学试剂，从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。

CMP技术是从原子水平上进行材料去除，从而获得超光滑和超低损伤表面，该技术广泛应用于光学元件、计算机硬盘、微机电系统、集成电路等领域。同时，CMP技术也是超精密设备向精细化、集成化和微型化发展的产物。

化学机械抛光液的性能是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素之一。抛光液一般包含氧化剂、络合剂、表面活性剂、磨料、pH调节剂、腐蚀抑制剂等成分，各种添加剂的选择和含量对抛光效果都会产生很大的影响。抛光液具有技术含量高、保密性强、不可回收等特点，这使其成为CMP技术中成本最高的部分。

抛光液中磨料的作用是在晶圆和抛光垫的界面之间进行机械研磨，以确保CMP过程中的高材料去除率。同时，磨料也是影响抛光液稳定性的重要因素之一。

磨料的种类繁多，SiO2磨料因其低黏度和低硬度的特性而广泛应用于CMP领域之中。

SiO₂溶于水后会与水接触形成Si—OH键，这使得它与大量的羟基相互附着形成SiO₂溶胶，也被称为硅溶胶。硅溶胶呈乳白色胶状液体，其内部是Si—O—Si键相联结而成的立体网状结构，外部则包裹着带负电的羟基，硅溶胶中的水分子解离形成H₃O⁺在静电作用下吸附于吸附层和扩散层，形成双电子层结构。在应用中，SiO₂的粒径一般为0~500nm，质量分数一般在10%~35%。根据pH值的不同，硅溶胶可以分为碱性硅溶胶和酸性硅溶胶。但硅溶胶在抛光液中的存在涉及多个因素。

研磨抛光技术在集成电路芯片的制作中具有重要作用，针对高端研磨抛光相关的技术、材料、设备、市场等方面的问题，中国粉体网将于2025年4月16日在河南郑州举办2025第二届高端研磨抛光材料技术大会。届时，广东惠尔特纳米科技有限公司研发经理钟荣峰将作题为《新型纳米二氧化硅磨料在CMP中的应用》的报告，报告主要介绍硅溶胶的制备方法及生长机理，在CMP中的应用优势以及痛点，硅溶胶的性能指标对抛光的影响。

专家简介：

钟荣峰，硕士研究生，具有多年研磨抛光行业工作经验，熟悉硅溶胶及其作为磨料的抛光液的研发、生产流程及质量控制体系。在新产品开发、工艺改进、客户技术支持等方面积累了丰富的经验；精通抛光液配方设计、原材料选择和性能测试方法，熟悉半导体、光学、金属等行业对抛光液及硅溶胶的应用要求，能够对抛光液的性能进行准确的评估和分析。

参考来源：

[1] 孟凡宁等，化学机械抛光液的研究进展

[2] 程佳宝等，CMP抛光液中SiO₂磨料分散稳定性的研究进展

（中国粉体网编辑整理/山林）

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