中国粉体网讯 化学机械抛光（CMP）借助于抛光液中化学试剂的化学腐蚀和纳米磨粒的机械磨削双重耦合作用，可以在原子水平上实现材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同时实现局部和全局平坦化，被广泛应用于光学元件、计算机硬盘、微机电系统、集成电路等领域。
CMP制程原理图
在CMP过程中，抛光液(浆料)对抛光效果起到至关重要的影响，其主要作用是在晶片表面产生化学反应，所形成的反应物再由磨料的机械摩擦作用去除。在化学成膜与机械去膜的交替过程中，通过化学与机械的共同作用从工件表面去除极薄的一层材料，最终实现晶片的超精密表面加工。CMP抛光液一般由去离子水、磨料以及pH调节剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂等化学助剂等组成，有利于提升CMP的综合效果。
浙江博来纳润电子材料有限公司（简称“博来纳润”）专注于为泛半导体行业平坦化材料提供整体解决方案，致力于电子级纳米氧化硅磨料、泛半导体用CMP抛光液、抛光垫等产品的技术研发和产业化，为半导体衬底等材料的纳米级平坦化提供工艺材料整体解决方案。
公司主要产品包括硅溶胶、抛光液、抛光垫，应用领域涵盖碳化硅衬底CMP制程、硅衬底CMP制程、集成电路CMP制程、其他泛半导体材料CMP制程。
公司本次推出多款抛光液，具备不同性能特点。
来源：博来纳润
该产品线覆盖6寸、8寸、12寸硅片的抛光需求，产品具备优异的去除速率、循环稳定性、储存稳定性和抛光后低金属离子残留等优势；并且抛光液中最重要的成分——硅溶胶研磨颗粒，全部使用自产硅溶胶，既能保障供应链的安全性，又能使产品在市场推广中具备成本优势。
参考来源：
1.中国粉体网、博来纳润
2.曹威等，化学机械抛光垫的研究进展
3.严嘉胜等，硅晶片化学机械抛光液的研究进展
（中国粉体网编辑整理/山林）
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