中国粉体网讯  化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术被誉为是当今时代能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术，化学机械抛光的效果直接影响到芯片最终的质量和成品率。化学机械抛光的概念由Walsh等人于1965年提出，最早是用于制造高质量的玻璃表面，如军用望远镜等。

与传统的纯机械抛光和纯化学抛光的工艺相比，CMP有效的结合了两者的优点，避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤及单纯化学抛光造成的抛光速率低、表面平整度低和一致性差的缺点。

燕禾等，化学机械抛光技术研究现状及发展趋势

化学机械抛光系统主要由抛光液、抛光垫和抛光头三部分组成，其基本原理是工件材料表面与抛光液中的氧化剂发生化学反应，生成一层软质层，在外加压力下磨粒与工件材料表面发生机械磨削作用去除软质层，然后工件表面再次发生化学反应，通过化学作用和机械作用交替进行，直至工件表面抛光完成。在抛光过程中，抛光头带动被抛光工件按照一定转速旋转，通过施加向下的压力将被抛光工件压向抛光垫，抛光垫、抛光液和抛光头夹持的抛光工件之间会形成一个固-液-固界面。

CMP抛光液是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素，组分一般包括磨粒、氧化剂和其它添加剂。研磨颗粒在研磨/抛光液中的悬浮分散性直接影响被抛工件抛光速率及表面质量。研磨颗粒悬浮分散性差可能导致颗粒沉降、团聚，甚至板结，团聚的颗粒在研磨/抛光过程中会对被抛工件表面造成严重划伤，同时颗粒板结后无法参与研磨/抛光，导致参与研磨/抛光的有效颗粒减少，从而降低抛光速率。

新型生物基3D纤维素凝胶以其独特的空间网状结构，拥有高比表面积及空间位阻，兼具微米及纳米结构的性能，可有效承托并包覆研磨颗粒，形成可靠的空间稳定结构，防止沉降、团聚及板结。另外，研磨颗粒吸附在3D纤维素凝胶表面，提高参与研磨的有效颗粒的数量，从而提升了抛光效率。

研磨抛光技术在集成电路芯片的制作中具有重要作用，针对高端研磨抛光相关的技术、材料、设备、市场等方面的问题，中国粉体网将于2025年4月16日在河南郑州举办2025第二届高端研磨抛光材料技术大会。届时，北京格林微纳科技有限公司研发经理尹学彬将作题为《新型生物基3D纤维素凝胶在研磨抛光领域的应用》的报告，报告介绍利用新型生物基3D纤维素凝胶，如何提升化学机械抛光的抛光速率。

专家简介：

尹学彬，1989年出生，2014年研究生毕业于天津工业大学材料科学与工程专业，主攻方向为高分子材料的改性研究，毕业后先后从事高分子复合材料的应用研究及气凝胶新材料的应用开发，曾负责气凝胶有机无机复合不燃保温板及气凝胶空气净化涂料的研发，并均实现产品性能领先当前技术水平。目前就职于北京格林微纳科技有限公司，担任研发经理的职位，主要负责新型生物基3D纤维素凝胶的应用开发工作。

参考来源：

[1] 燕禾等，化学机械抛光技术研究现状及发展趋势

[2] 王东哲等，化学机械抛光液的研究现状

（中国粉体网编辑整理/山林）

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