中国粉体网讯  近日，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司取得一项名为“用于最终抛光工艺的处理方法及抛光晶圆”的专利，可以在对晶圆表面进行前序工艺损伤去除和镜面化修复的同时减少微分干涉对比缺陷的形成。

来源：国家知识产权局

硅是一种非常优秀的半导体材料，其带隙为1.12 eV，适中且适合多数电子器件的工作需求。硅的电子迁移率和空穴迁移率也较为理想，适合制造高性能的芯片。此外，硅能够通过直拉法和区熔法等工艺制备出高质量的大尺寸单晶。

来源：奕斯伟材料官网

硅片表面抛光是半导体制造中的一项关键工艺，旨在通过去除硅片表面的微缺陷、应力损伤层以及金属离子等杂质污染，达到极高的表面平整度和粗糙度要求，从而满足微电子（IC）器件的制备需求。

为了满足线宽小于0.13μm至28nm的IC芯片电路工艺对直径300mm硅抛光片的高质量要求，进一步减少硅片表面的金属离子等杂质污染，并确保硅片表面具有极高的表面纳米形貌特性，最终抛光（精抛光加工）成为不可或缺的关键步骤。

奕斯伟材料公开涉及一种用于最终抛光工艺的处理方法和抛光晶圆。用于最终抛光工艺的处理方法包括：使用第一抛光液对晶圆进行第一抛光；使用第二抛光液对经过第一抛光的晶圆进行第二抛光；以及使用第三抛光液对经过第二抛光的晶圆进行第三抛光，其中，第一抛光液和第二抛光液均添加有碱性添加剂，并且第三抛光液不添加碱性添加剂。通过本次公开的用于最终抛光工艺的处理方法，能够在对晶圆表面进行前序工艺损伤去除和镜面化修复的同时减少微分干涉对比缺陷的形成。

来源：国家知识产权局

奕斯伟材料是一家12英寸电子级硅片产品及服务提供商，主要从事12英寸硅单晶抛光片和外延片的研发、制造与销售。产品广泛应用于电子通讯、新能源汽车等领域所需要的存储芯片、逻辑芯片、图像传感器、显示驱动芯片及功率器件等。

来源：奕斯伟材料官网

公司在硅片技术、制造工艺等领域掌握数百项核心技术专利，拥有成熟量产能力，具备无缺陷晶体生长、高品质外延生长、硅片加工等自主关键技术，采用领先工艺及量测设备，对生产全过程进行高标准品质管控，产品在单晶品质、几何形貌、颗粒及污染控制等方面均达到国际先进水平。奕斯伟材料依托在全球半导体领域具有丰富经验的技术研发和经营管理团队，奕斯伟材料稳步快速发展。目前在西安高新区已拥有两座工厂，满产后月产能将突破百万片。

参考来源：

中国科学院半导体研究所、国家知识产权局、奕斯伟材料官网

（中国粉体网编辑整理/山林）

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