北京亚科晨旭科技有限公司
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  • 参考报价:电议
    型号:
    产地:日本
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  • 详细介绍:


    爱发科-刻蚀设备汇总

    量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800

    量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。

    产品特性 / Product characteristics

    除单腔之外,另可搭载有磁场ICP(ISM)或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。

    为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。

    拥有简便的维护构造,实现downtime*短化,提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。

    专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

    产品应用 / Product application

    化合物(LED或LD、高频器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。

    金属配线或层间绝缘膜(树脂类)、门电极加工工艺

    强电介质材料或贵金属刻蚀。

    磁性体材料加工。

    高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H

    高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料(强电介质层、贵金属、磁性膜等)的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。

    产品特性 / Product characteristics

    有磁场ICPISM)方式-可产生低圧?高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。

    可提供对应从常温到高温(400oC)的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。

    通过从腔体到排气lineDRP为止的均匀加热来防止沉积物。

    该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构,是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。

    实现了长期的再现性、安定性

    产品应用 / Product application

    FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM.

    研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570

    研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570,是搭载了爱发科独chuang的磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的装置,此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。

    产品特性 / Product characteristics

    NLD用于与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

    高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工,在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。

    石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀(100μ m以上)。

    可实现高速刻蚀(石英>1μ m/minPyrex0.8μ m/min

    可追加cassette室。

    产品应用 / Product application

    光学器件(光衍射格子、変调器、光开关等等)、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。

    干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX

    对应LED量产专用的干法刻蚀设备?NE-950EX?相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。

    产品特性 / Product characteristics

    4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。

    搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源。

    高生产性(比以前提高140%)。

    为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。

    彻底贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。

    拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)。

    丰富的可选机能。

    产品应用 / Product application

    对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备

    对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700

    对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的量产用干法刻蚀装置。(此爱发科chuangNLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子)

    产品特性 / Product characteristics

    • 在洁净房内作业可扩张为双腔。(可选配腔室:NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室)

    NLD为时间空间可控的等离子,因此设备干法清洁容易。

    腔体维护简便。

    从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀,可提供各类工艺解决方案。

    专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

    产品应用 / Product application

    光学器件(折射格子、光波导、光学开关等等)、凹凸型微透镜。

    流体路径作成或光子学结晶。

    批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300

    批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm,300mm尺寸晶圆。

    产品特性 / Product characteristics

    高产率以及低CoO

    良好的刻蚀均一性(小于±5%/批)和再现性

    干法刻蚀

    Damage-Free(远端等离子、低温工艺)

    自对准接触电阻仅为湿法的1/2

    灵活的装置布局

    高维护性(方便的侧面维护)

    300mm晶圆批处理:50枚/批

    产品应用 / Product application

    自对准接触形成工艺前处理

    电镀工艺前处理

    晶膜生长前处理

    Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理