行业痛点：薄晶圆与镀层若用四探针接触测量，探针易扎伤表面，且只能逐点接触，无法在线评价大尺寸厚料；不同膜电阻量级跨度大，单点仪器很难一台覆盖。研发与来料分选常因此被迫在破坏性与检测效率之间取舍。

解决方案：EC-80P采用非破坏涡流法，手持探头轻触表面即可单点测定电阻率与シート电阻，试样不小于φ20mm且有平面。全探头合计电阻率量程1m至200Ω·cm、シート电阻10m至3kΩ/□，按Low、Middle、High、S-High、Solar Wafer分档更换探头。本体约4kg，探头可同时接两根，电阻率与シート电阻模式一键切换，JOG旋钮设定。需批量布点时另配半自动台架。

方案优势：非接触不损伤晶圆与镀层，适合硅片、SiC、ITO、石墨烯等新膜分选；探头按阻值量级分档，选购前先锁定被测膜阻值范围；探头可更换、双探头可同时接入，现场迁移方便。单机为手持单点，多点测试需人工布点。具体参数以正式规格书为准。