第三代半导体相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。其中碳化硅应用更为广泛。

    碳化硅晶圆相对于硅片，其硬度更高硅片的抛光使用硅溶胶抛光液或者较为柔软的氧化铈抛光液即可，但碳化硅的硬度9.2以上，硅片仅7，硬度的差异导致无法使用上述两种抛光液，顾需要选择硬度更高的材料，但同时需要达到埃级的平整度，其粒径需要很小，且分布较窄。

    纳米氧化铝抛光液成为首选，要达到上述平整度，其粒径至少达到100nm，且分布要窄。国内很多企业号称可以做这样的纳米氧化铝。

    单就该粒径来看，确实有可以达到的，最简单的气相氧化铝或者伽马相氧化铝，完全达到要求。但是这样的氧化铝有一个共同的特点，其硬度不够，无法提供有效的抛光速率，甚至配置的抛光液时氧化铝非常容易被化学试剂腐蚀消解导致失效。所以需要达到有效的抛光速率，必须使用阿尔法相氧化铝。

那么这种100-150nm氧化铝制备又有什么难点呢？

1氧化铝在烧结过程中向阿尔法转向，晶粒易长大，而一旦长大，其粒径难以超细化，所以制备100nm氧化铝，第一步，控制晶粒长大，最好控制在100nm以下。

2完整的结晶，提供硬度。这一条件与上述条件是冲突的，怎么办？看第三条！

3 良好的烧结活性，在更低温度烧结，避免晶粒长大的同时完整的转相阿尔法。

4 纯度，晶圆抛光对纯度要求极高，如Na、Ca、磁性离子需严格控制，最高达到ppm级别，放射性元素U、Th需控制ppb级。

大家不妨想一想，要达到上述几个条件，用什么工艺来制备?

请容小编做个小广告，柔陶新材主要研发生产高纯度纳米氧化铝，3N、4N，粒径100nm、200nm、300nm、500nm等，其中100nm高纯度氧化铝浆料已在第三代半导体行业得到应用，欢迎各cmp材料技术工作者共同研讨