在半导体封装领域，如何抑制封装材料中的α粒子干扰已成为高密度芯片制造的核心挑战。近期行业内涌现出一类创新型低α材料——多面体近球形单晶α相氧化铝，其独特的物理特性为封装技术升级提供了全新思路。

α粒子的隐形威胁与封装革新  

       半导体器件在运行过程中可能遭遇的软性失效，往往源于封装材料中放射性杂质释放的α粒子。这类粒子穿透芯片时产生的电离效应，对高密度存储器等精密元件的稳定性构成严重威胁。尤其在动态随机存储器等高可靠性场景中，采用超低α射线封装材料已成为行业共识。

       环氧模塑料作为主流封装介质，其性能优劣直接影响芯片的机械强度、散热效率及长期可靠性。传统封装体系通常采用硅基填料，但随着芯片集成度的跃升，导热性能更强的氧化铝基材料逐渐崭露头角。此类材料不仅需要具备优异的热管理能力，更需通过严格的放射性元素提纯工艺，将铀、钍等杂质含量控制在极限水平。国际半导体标准组织已为此类材料的α粒子释放量建立了系统评估体系。

类球形单晶α相氧化铝制备工艺的技术突破  

       尖端材料制造商通过创新工艺实现低α氧化铝的量产突破。部分企业采用气相沉积法精控材料纯度，另一些则开发了高温熔融技术优化颗粒形貌。这些工艺创新在确保材料低放射性的同时，实现了晶体结构的精密调控，为后续应用奠定基础。

多面体类球单晶α氧化铝（DCA-NL系列）结构的性能优势  

       相较于传统球形氧化铝，多面体近球形单晶α相氧化铝展现出显著的技术优势。其高度有序的晶体结构几乎消除了晶界缺陷，形成完整的三维导热网络。特殊的十四面体几何构型，使颗粒间建立面接触式热传导通道，相较于传统材料的点接触模式，显著提升热扩散效率。

       类球单晶α氧化铝（DCA-NL系列）近球形特征在保证流动性的前提下，通过减少内部孔隙与微裂纹，有效抑制了声子散射效应。这种结构完整性不仅强化了机械性能，更使材料在高温高压封装环境中保持稳定。虽然其颗粒形态与传统球形产品存在差异，但经过工艺优化的产品仍能满足自动化封装设备的工艺要求。特殊工艺制备的多面体单晶氧化铝具有近球形结构与球形氧化铝相比流动性稍差，但依然具有较高的流动性。

       当前，这类创新型氧化铝材料已在高阶存储芯片封装中开展应用验证。其融合低放射性、高导热与结构稳定的综合特性，为半导体封装材料进化提供了新的技术路径。

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参考资料：粉体圈

备注内容素材来源：图片来源DIC株式会社