碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)作为关键材料也开始广为人知，但大多数人并不知道的是，最常见并广泛用于耐火、超硬磨料、先进陶瓷等行业的其实是α相碳化硅，而它与真正用于半导体的低温稳定β相碳化硅相去甚远。

β-SiC，属立方晶系(金刚石晶型)，也就是立方碳化硅。它除了在第三代半导体产业中用于制备碳化硅晶圆，还由于具备很高的化学稳定性、高硬度、高热导率、低热胀系数、宽能带隙、高电子漂移速度、高电子迁移率、特殊的电阻温度特性等，也被广泛应用于精密加工技术、军工、航空航天、高级耐火材料、特种陶瓷材料、高级磨削材料和增强材料等领域，因此相比α-SiC的应用范围和应用能力大很多，比如在抛光研磨领域的应用，β-SiC锐利的棱角可以提升抛光效率;在高端特种陶瓷的制备领域，添加β-SiC可以提升陶瓷的烧结活性。

立方碳化硅新材料由西安博尔新材料有限责任公司(下称博尔新材料)联合西安科技大学、陕西省硅镁碳微纳米材料工程技术研究中心，历经26年时间，成功研发并生产。目前国内市场占有率95%以上，国际市场占有率50%以上，全球仅有日本、德国和美国的4家公司可小批量生产，因产品稀缺性和高技术壁垒以及保密性，市场投放量很小，这更吸引了美国、韩国等国家客户纷至沓来。

立方SiC微粉

这款产品纯度高、自然堆积密度高、粒度分布窄，基本粒含量在60～80%，用于精磨抛光、制造高级油石、精细研磨/抛光液，替代金刚石、B4C、AlN、CBN等。

立方SiC晶须

半导体制造用高纯超细立方SiC微粉

这款产品由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源，经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅，其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在军工、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅，成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料。

截至目前，公司在西安国家航空高技术产业基地已建成年产500T生产能力的产业化示范生产线，生产技术国内首创、国际领先、成熟可靠。三年多来，公司已向国内外先进制造领域提供细分市场产品八大类约200个品种，尤以半导体芯片基材和超精细磨料磨具材料的巨大应用潜力在国内国际产生了很大影响。

西安博尔新材料有限责任公司是一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅(β-SiC)微粉和晶须的专业企业。总投资1.86亿元，生产的立方碳化硅(β-SiC)等产品质量达到先进水平，其中主营产品立方碳化硅经陕西省工信厅及国家工信部批准被纳入重点新材料，公司的SiC微粉在精细分级和表面改性处理等方面也都处于国内先进水平。

参考资料:企业官网