在半导体芯片制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的关键步骤。该技术通过化学腐蚀与机械磨削的协同作用，有效移除表面起伏，对于构建现代集成电路，特别是多层互连结构，具有不可或缺的重要性。

抛光液作为CMP过程的核心耗材，其性能直接影响抛光效果。典型抛光液包含磨料（如纳米氧化铈、硅溶胶）、氧化剂、络合剂及pH调节剂等组分。其中，纳米级磨料的均匀与稳定分散，是确保其发挥可控、一致机械移除作用的基础物理前提。