随着新能源以及 5G 通信等领域的发展，半导体器件的质量越来越影响到行业发展。电子产品中的半导体器件集成规模和响应频率越来越高，同时在使用中产生的热量必然会增长,这就对电子器件的散热能力提出了新要求。氮化铝材料的散热能力优良，相较其他化合物，氮化铝是强共价化合物。与其他基片材料相比，热膨胀系数与硅相差不多，强度高且强度受温度的影响较小，化学性质稳定，可不被铜等金属侵蚀，是优质半导体器件的最佳材料。氮化铝器件的性能关键在于氮化铝粉体的质量，而纳米粉体又具有独特的性能表现及纳米效应，有助于氮化铝材料的性能发挥。

氮化铝制备技术主要有直接氮化法、碳化还原法以及高能球磨法。直接氮化法原料丰富，工艺较简单但产率低；碳化还原法产品纯度高但生产成本高；高能球磨法生产效率高，最适合工业化生产。

高能球磨法是从直接氮化法和碳化还原法的基础上发展起来的，指在氮气(氨气)气氛下，随着研磨机“细胞磨”的转动，搅拌研磨氧化铝或铝粉等原料，在细胞磨的辅助作用下发生氮化反应或碳化还原反应生成氮化铝粉体。机械研磨法容易在研磨时混入杂质，生产出的粉体质量较低，因此，生产时要选用细胞磨这种耐磨以及可以根据粉体成分配置设备材质的研磨机，来保证氮化铝粉体的质量。

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