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03丨Wavelength Data标签页
本标签页用于预设波长信息，已包含了Co靶、Cu靶、Mo靶的多个波长，如需添加更多波长，可以点击Add按钮，在打开的Set Wavelength对话框中输入波长名称和值（单位A）即可。另外，Selected Wavelength框用于设置软件默认的X射线波长，可以用该框右侧的仨点按钮进行选择，也可以手动输入。
图11 Wavelength Data标签页
本标签页中的波长数据用于软件中其它波长相关设置中的波长快捷选择。如在模拟设置（Simulation Setup）中设置模拟什么波长下的相关曲线，可以在波长框右侧的仨点按钮点开波长选择对话框，从预设的波长列表中选择；对于反射率曲线的模拟，还可以选择第二波长，进行混波长的曲线模拟，见图12。
图12 Simulation Setup中的波长设置（左：高分辨；右：反射率）
04丨Element Data标签页
本标签页中已经包含了从H到Bi总共83种元素的信息，除了直接列在列表中的原子序数、原子量之外，也包含了元素的原子散射因子及在不同波长下的质量吸收系数（Mu/Rho）、结构因子反常散射系数的实部（f’）和虚部（f’’），可以选中元素后点击Edit element按钮打开Edit Element Data对话框（见图14）进行查看或修改。如需添加更多元素，可以点击Add element按钮进行添加，当然，得提前查文献得到前面提到过的那些信息。
图13 Element Data标签页
图14 Edit Element Data对话框中查看或修改元素信息
05丨Vegard's Law Deviation标签页
默认情况下，软件处理合金/固溶体半导体材料的晶格常数时，遵循维加德定律（Vegard’s Law）根据组分进行计算；但某些材料晶格常数的变化并不完全遵循维加德定律，那就可以在本标签页中设置晶格常数实际随组分变化的公式。
点击Add按钮，在所打开的Add Alloy对话框中选择要设置什么结构的哪个合金/固溶体半导体材料，点击OK按钮后，所选的材料会列在本标签页上半部分的列表中，公式的类型可在第三列Equation Type里选择Custom equation（晶格常数随组分变化的完整公式）或Deviation from Vegard’s Law（晶格常数随组分变化与维加德定律的偏离量），最后在底下的Equation框中输入公式即可。如对于In(As,Bi)固溶体半导体材料，假设有文献表明其晶格常数随组分变化偏离维加德定律，那可以选择公式类型为Deviation from Vegard's Law并在Equation框中输入0.01 * sqrt(x * (1-x))，或者选择公式类型为Custom equation并在Equation框中输入x * a1 + (1-x) * a2 + 0.01 * sqrt(x * (1-x))，这两种设置方式是等效的。
图15 Vegard's Law Deviation标签页中添加晶格常数变化公式
06丨材料数据库的保存
在对软件的材料数据库进行改动后，点击Edit Material Data主对话框的OK按钮后，软件会提醒是否要保存，点Yes确认保存后，要求指定保存路径（软件的默认数据库的路径为C:Users[用户名]DocumentsPANalyticalAMASSstandard.amatxl），可以覆盖原始文件，也可以重新命个名保存。
软件启动时，默认启用最近打开或保存的那个数据库文件，如果要改用另外的数据库文件，可以通过菜单Sample - Open Material Data打开并使用该数据库文件。
