中国粉体网讯  近日，总部位于英国的先进材料公司Elethron今日宣布，计划构建英国的氮化铝（AlN）单晶衬底制造能力。首期将推出2英寸晶圆，用于客户评估、器件制造试验和产业认证。

在现代化合物半导体版图里，氮化铝是极其特殊的存在。它拥有高达 6.2 电子伏的超宽禁带、与铜相当的高导热能力，以及极佳的深紫外光学透明度。对于国防相控阵雷达的高频大功率射频放大器、深空抗辐射卫星载荷，AlN衬底不仅能提供近乎零晶格失配的富铝氮化物外延底座，更能直接把热点热量快速抽离。

AlN衬底制备分为粉体/薄膜制备、单晶体生长、后处理（切割抛光）三个阶段。

与碳化硅单晶生长类似，氮化铝单晶无法通过熔体法而只能采用物理气相传输（Physical Vapor Transport，PVT）法进行生长。物理气相传输法是目前商业化AlN单晶衬底的最主要工艺。物理气相传输法生长氮化铝与碳化硅体单晶基本同时起步于20世纪70年代。随着宽禁带半导体技术的兴起，及氮化铝优异性能与潜在应用前景，众多科研机构及企业在物理气相传输法制备氮化铝单晶方面做出了长期不懈努力，但与目前较为成熟的碳化硅等衬底材料相比，氮化铝单晶生长及其衬底制备具有更高的技术难度、更高的复杂性和更高的成本等特点。

英国在化合物半导体材料研究、外延生长、器件制造和计量学方面拥有雄厚的技术基础。Elethron的项目将通过实现AlN单晶衬底本土供应来强化这些能力，从上游材料端推动英国半导体产业格局的多元化。

Elethron创始人兼首席执行官Hamid Soorghali表示：“英国在宽禁带半导体材料方面依赖国外，供应链受限，使国内产业面临地缘政治和供应风险。建立英国本土的制造能力将实现这一关键材料的自主可控，使产业界能够稳定地获取材料，以支持持续创新并保持英国在化合物半导体领域的领先地位。”

Elethron是一家总部位于英国的材料与工艺工程公司，专注于面向超宽禁带技术的高性能半导体材料和工程化衬底。该公司将专有晶体生长工艺与材料研发相结合，开发并优化用于功率电子、射频、光子学和极端环境系统的晶体材料。该公司还在开发ĀTAR——一个自主、模块化的太空材料加工平台，用于微重力环境下的晶种形成、先进晶体生长研究和材料产品开发。

参考来源：

Elethron、奥趋光电、半导体前哨

王琦琨，超宽禁带半导体材料———氮化铝单晶

（中国粉体网编辑整理/山林）

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