中国粉体网讯   韩国正式启动“超级创新经济项目”，宣布投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）专项资金，发力下一代功率半导体技术研发。叠加民间配套投资后，该项目整体资金规模将达到7500亿韩元。

据韩国《首尔经济日报》消息，如今韩国已将功率半导体视作与存储芯片并列的核心战略产业。当地时间6月14日，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲在紧急经济指挥部会议上，敲定了该研发项目的各项细则。按照规划，韩国政府将于本月出台下一代功率半导体商业化技术路线图，并号召全产业链企业深度参与，打通从基础材料、核心器件、功能模块到系统应用演示的全流程研发。

功率半导体是AI数据中心平稳运转的关键支撑，既能搭建稳定供电体系、提升能源利用率，还能有效减少电力损耗，保障高密度人工智能设备长期稳定工作。除AI数据中心外，这类产品还广泛应用于能源系统、新能源汽车、工业机器人、航空航天等众多领域。目前行业主流的先进功率半导体材料为碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），相较于传统硅基半导体，二者耐高温性能更强、能耗更低、电能转换效率更优异，也是本次韩国技术攻坚的核心方向。

为推进研发落地，韩国产业通商资源部已组建专项工作组，重点升级釜山、浦项等地专业园区内的晶圆制造工厂。同时韩国政府要求下游所有功率半导体应用企业参与项目研发，力求搭建起完整的产业生态，助力本土功率半导体产业实现跨越式发展。

来源：SK Siltron

依托政企协同发力，韩国功率半导体产业近年发展势头迅猛，当地半导体产业也正从传统存储芯片优势赛道，向多元化方向转型升级。韩国已将功率半导体定位为国家战略基础设施，并立下明确目标：到2030年，将功率半导体技术自主率从当前10%提升至20%，逐步降低对外进口依赖。在技术路线上，韩国锚定碳化硅、氮化镓两大化合物半导体主线，全面布局材料、制造工艺、芯片设计、晶圆代工等全产业链环节。

企业层面同样布局踊跃、成果颇丰。三星电子计划在2026年第三季度推出碳化硅功率半导体样品，产品主攻车规级与工业级市场，后续还将持续研发沟槽型碳化硅MOSFET、功率模块等新品。本土功率半导体IDM企业Power Master，坐拥8英寸硅晶圆厂与6英寸碳化硅晶圆厂，其1200V碳化硅MOSFET已实现量产，产品批量应用于新能源汽车、工业电源等场景。

产业链各环节也接连实现技术突破：韩国STI公司自主研发碳化硅PVT生长炉，实现5N级碳化硅锭粉本土化自给；SK Siltron通过收购杜邦碳化硅晶圆业务，大幅补强碳化硅衬底供给能力。在外延片与器件制造领域，Arché、LX Semicon等企业已实现碳化硅外延片量产，Trinno Technology等企业深耕碳化硅JBS、MOSFET核心技术，持续推动本土技术自主可控。

随着技术不断迭代，韩国现代汽车、三星电子等龙头企业加速落地碳化硅相关应用，进一步拉动新能源汽车、数据中心、工业电源等市场对高端功率半导体的需求，也让全球功率半导体领域的市场竞争日趋激烈。在市场应用与竞争态势方面，韩国现代汽车、三星电子等企业正积极应用碳化硅技术，推动电动汽车、数据中心、工业电源等领域的功率半导体需求增长。

参考来源：首尔经济日报、科创板日报、IT之家、全球半导体观察

（中国粉体网编辑整理/初末）

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