济宁瑞芯半导体与您相约江苏!2025第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会
中国粉体网 粉享汇 2025/7/15 16:38:09 点击 621 次
导读2025第三代半导体SiC晶体生长技术交流会,8月21日相约江苏·苏州

随着科学技术的飞速发展,半导体材料的革新速度也进一步加快。当前,碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透,已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时,我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。


近年来,我国在SiC材料领域取得了显著进展,但与国际先进水平相比,在晶体生长技术、晶圆加工技术等方面仍存在一定差距。SiC晶体生长过程中面临着晶体缺陷控制、生长速率提升、晶体质量稳定性等难题;晶圆加工方面,则存在加工精度不足、良品率低、加工成本较高等挑战。在当前倡导节能减排的大趋势下,快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题,才能够更好地占据未来碳化硅市场。


在此背景下,中国粉体网将于2025年8月21日江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会,大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。济宁瑞芯半导体有限公司作为参展单位邀请您共同出席。



公司成立于2021年,是由国内上市公司和嘉祥城投合资创建的一家以从事半导体研发、生产、销售和其他电子设备制造的高新技术企业。产品涵盖分立器件芯片、整流元器件、保护器件、高压硅堆等。项目位于山东济宁嘉祥县开发区科创园5#厂房,建筑面积约9360平方米。
公司购置WAFER划片机、激光切割机、分选机和DICE性能测试仪等120余台设备;高压硅堆生产线10余条,弥补了国内空白。产品远销美国、日本、台湾等地区,内销客户遍及江、浙、沪、粤一线发达城市。


产品介绍


1、超快恢复高压二极管D0-206



 High Voltage Rectifiers (Operating Temperature Range ‐40℃ To +130℃)
系列PackagePart No.Absolute Maximum Rating (Ta=25oC)Electrical Characteristics ( Ta=25oC)TRR规格手册样品申请
VRRMVRSMIF(AV)IFSMVF Max. @IFMIR Max. @VR
( KV )( KV )(mA )(A) @8.3mS( V )IFM(mA)(uA)VR(KV)(μS)
超快回复高压二极管DO-2062CL0181050.52855.0 80.05


2CL01.pdf


样品申请
2CL1181050.52855.0 80.045


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样品申请



DO-2102CL02101250.53552.0 100.05


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样品申请
2CL03121550.54252.0 120.05


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样品申请
2CL13121550.54252.0 120.045


2CL12 THRU 2CL13.pdf


样品申请



DO-2052CL01M81050.52855.0 80.05
样品申请


2、快恢复高压二极管D0-206



 High Voltage Rectifiers (Operating Temperature Range ‐40℃ To +130℃)规格手册样品申请
系列PackagePart No.Absolute Maximum Rating (Ta=25oC)Electrical Characteristics ( Ta=25oC)TRR
VRRMVRSMIF(AV)IFSMVF Max. @IFMIR Max. @VR
( KV )( KV )(mA )(A) @8.3mS( V )IFM(mA)(uA)VR(KV)(μS)
快恢复高压二极管DO-2062CL70A6850.524102.0 60.08


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样品申请
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样品申请



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样品申请



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样品申请



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样品申请



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会务组

联系人:段经理

电话:13810445572

邮箱:duanwanwan@cnpowder.com




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