中国粉体网讯  电子电器工业的高速集成化促使半导体元器件朝着小型化、大电压、大电流、高功率密度的方向发展，这对元器件的组装和封装材料，特别是提供电绝缘和散热功能的脆性陶瓷基板提出了很大的挑战。常用的陶瓷基板材料有BeO、Al₂O₃以及AlN。其中，BeO粉末含有剧毒，而Al₂O₃陶瓷基板热导率较低（<30 W/（m·K）），AlN热导率虽然可达到270 W/（m·K）以上，抗弯强度却小于400 MPa，以上缺陷制约了三者在尖端半导体领域的应用。而氮化硅（Si₃N₄）作为一种难得的兼具高本征热导率（~320 W/（m·K））和优异力学性能的结构陶瓷材料，常温下非常稳定。通过调节烧结助剂的成分比例，可获得几倍于AlN抗弯强度（>800 MPa）的氮化硅陶瓷。潜在的高热导和优异的力学性能表现使氮化硅被视为当今时代最热门的半导体陶瓷基板封装材料。Si₃N₄陶瓷基板广泛应用于高性能电子器件中。

富乐华研究院经过多年的技术攻关，成功实现了Si₃N₄陶瓷基板从材料研发到设备工艺的全流程国产化，打破了对进口技术的依赖，推动了国产功率半导体产业的自主化发展。特别是推出的110W导热氮化硅陶瓷基板，首次在国内实现了高导热性与抗弯折性的结合，填补了国产材料在高性能功率半导体领域的空白。该技术的成熟，为提升功率半导体器件效率与可靠性提供了坚实基础。该产品将在新能源汽车、高铁、航空航天、电力电网等行业广泛应用，替代进口技术，推动国内产业的自主研发与生产，助力国产材料技术的突破，支持制造强国战略目标的实现。

半导体及电子信息产业的快速发展对核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作为功率半导体器件的关键封装材料，其导热性能、机械强度、可靠性和精密程度直接决定了终端产品的性能与寿命。针对材料研发、制备工艺、检测技术、应用场景等核心议题，中国粉体网将于2025年7月29日在江苏无锡举办2025高性能陶瓷基板关键材料技术大会。届时，江苏富乐华功率半导体研究院有限公司战略规划部部长柳珩将作题为《110W氮化硅陶瓷基板：引领国产高导热与抗弯折技术新纪元》的报告，报告中就110W氮化硅陶瓷基板的优异性能及广泛应用进行介绍。

专家简介：

柳珩，现任富乐华功率半导体公司战略规划部及新产品营销部负责人，专注于功率半导体领域，积累了丰富的研发经验和市场战略规划背景。

参考来源：

朱允瑞等，高导热氮化硅陶瓷基板影响因素研究现状

（中国粉体网编辑整理/山林）

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