在第三代半导体碳化硅（SiC）的量产战场上，涂层工艺的 1% 性能提升，能让器件良率飙升 8%，单炉次成本直降 3 万元！从外延生长到刻蚀工艺，每一道涂层工序都是决定产品成败的关键防线。

2025年8月20-21日在江苏 • 苏州由中国粉体网主办的第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会现场，深圳市志橙半导体材料股份有限公司携四大颠覆性涂层解决方案重磅登场，直击行业痛点：

✅ SiC 涂层产品及解决方案：让设备寿命延长 3 倍，成本直降 50%

✅ TaC 涂层产品及解决方案：突破刻蚀速率瓶颈，效率提升 40%

✅ Etch SiC 产品及解决方案：攻克刻蚀损伤难题，良率提高 25%

✅ 扩散氧化 SiC 产品及解决方案：实现均匀氧化，器件性能跃升 30%

🔥 四大王牌产品，如何改写行业规则？

1️⃣ SiC 涂层产品及解决方案 —— 设备的「防护铠甲」

传统涂层在高温、强腐蚀环境下寿命短，导致设备频繁更换，单台维护成本超 50 万元 / 年！志橙 SiC 涂层采用纳米级梯度沉积技术，实现：

• 寿命延长 3 倍：在 1600℃高温下稳定服役超 1000 小时

• 成本腰斩：减少设备更换频次，单台年节省成本超 30 万元

• 全场景适配：兼容单晶炉、外延设备等 8 类主流半导体装备

2️⃣ TaC 涂层产品及解决方案 —— 刻蚀工艺的「速度引擎」

SiC 刻蚀速率慢、效率低，是制约产能的核心难题！志橙 TaC 涂层通过超硬纳米复合结构，达成：

• 刻蚀速率提升 40%：单位时间产能翻倍，交货周期缩短一半

• 表面质量飞跃：粗糙度降低至 0.5nm，刻蚀损伤减少 60%

• 工艺窗口拓宽：适配多种刻蚀气体，参数调整更灵活

3️⃣ Etch SiC 产品及解决方案 —— 良率提升的「终极武器」

刻蚀过程中的材料损伤，导致 SiC 晶圆良率不足 60%！志橙创新方案融合离子束辅助沉积技术，实现：

• 良率飙升 25%：有效抑制刻蚀缺陷，良品率突破 85% 大关

• 缺陷深度骤降：将刻蚀损伤层厚度从 500nm 压缩至 100nm

• 工艺稳定性拉满：批次间一致性误差＜3%，量产更可靠

  
  

4️⃣ 扩散氧化 SiC 产品及解决方案 —— 性能突破的「隐形翅膀」

氧化层均匀性差，直接导致 SiC 器件击穿电压下降 15%！志橙方案采用原子层精准调控技术，达成：

• 均匀性误差＜1%：氧化层厚度一致性达行业顶尖水平

• 性能跃升 30%：器件击穿电压、可靠性显著提升

• 工艺温度降低：在 1200℃实现高质量氧化，能耗减少 20%

  
  

📢 参会解锁「王炸权益」，错过再无！

1️⃣ 现场实验观摩：直击四大涂层方案实测效果，见证性能提升数据（限前 15 名预约）

2️⃣ 免费工艺诊断：志橙专家团队一对一分析产线问题，出具定制优化方案

3️⃣ 展会专属政策：现场签约享首单钜惠 + 全年技术支持服务

别让‘再等等’成为企业发展的绊脚石！

现在行动，联系会务组锁定参会名额，8 月 21 日，苏州见真章！

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会务组紧急通道

📞 段经理：13810445572（微信同号，备注「志橙」优先对接）

📩 邮箱：duanwanwan@cnpowder.com

📍 坐标：苏州•白金汉爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）