中国粉体网讯  碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，其晶圆尺寸的演进一直是产业降本增效的关键路径。当前产业动态呈现出“6英寸主流、8英寸过渡、12英寸突破”的阶梯式发展格局，技术迭代速度远超预期。

浙江晶瑞：实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长

5月12日，晶盛机电子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309mm且质量完好。

浙江晶瑞首颗12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶

浙江晶瑞SuperSiC基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。

浙江晶瑞SuperSiC始终专注于碳化硅、蓝宝石等化合物半导体材料的研发生产与销售，致力于为功率半导体器件提供高品质的衬底和热沉材料。目前，公司自主研发的8英寸碳化硅衬底已实现批量生产，其8英寸导电型碳化硅衬底，凭借微管密度（MP<0.05ea/cm2）和位错密度（TSD<10ea/cm2, BPD<300ea/cm2）的低缺陷技术指标，成为高压功率器件的理想选择。

南砂晶圆：发布12英寸导电型SiC衬底

近日，南砂晶圆展示了12英寸导电型SiC衬底等重点产品。

值得注意的是，南砂晶圆还成功实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。这一技术进步不仅提升了产品的可靠性和性能，也为国产8英寸导电型衬底的产业化进程奠定了坚实基础。

2018年，依托山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授团队的技术成果，南砂晶圆于广州市南沙区注册成立。目前拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成了完整的碳化硅单晶生长和衬底制备生产线，产品还包括6英寸和8英寸的导电型和半绝缘型碳化硅衬底。

山东力冠：加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备

近日，山东力冠在12英寸SiC长晶炉领域取得了重要突破。公司公开表示，已攻克12英寸PVT电阻加热长晶炉的研发难关，并于近期完成首批两台设备的交付。同时，该公司正加速攻关12英寸液相法SiC长晶设备。随着12英寸电阻法长晶系统的商业化突破，山东力冠计划在2025年实现12英寸设备的批量供货，助力国产碳化硅材料进入全球供应链第一梯队。

公司自主研发的8英寸PVT碳化硅长晶炉已实现批量销售，涵盖感应加热与电阻加热两种技术路线，可灵活适配导电型与半绝缘型碳化硅晶体的生长需求。

山东力冠自成立以来，始终聚焦半导体材料工艺装备的研发与生产。公司研发团队汇聚了半导体材料、热场设计、精密加工等领域的专家型人才，形成了覆盖第一代至第四代半导体材料工艺装备的完整产品线，包括PVT单晶生长设备、HVPE设备、SiC籽晶粘接设备等核心产品。

来源：各企业官微

（中国粉体网编辑整理/空青）

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