中国粉体网讯  碳化硅（SiC）作为重要的高端精密半导体材料，由于具有良好的耐高温、耐腐蚀性、耐磨性、高温力学性、抗氧化性等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。

目前为止，被确认的SiC晶型结构已超过200多种，主要类型有六方体（2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC）和立方体3C-SiC等。其中，3C-SiC的等轴结构特点决定了该类粉体具有比α-SiC更好的自然球度和密堆特性，因而在精密研磨、陶瓷制品等领域有更优异的性能。目前，种种原因导致性能优异的3C-SiC新材料未能实现工业上的大量应用。

由此，3C-SiC作为新材料受到了全球半导体行业和新材料研究领域的广泛关注。今年年初，由日本大阪公立大学等首次证实确认AIR Water开发的半导体材料3C-SiC具有高传导率，由于其成本相对较低，可制成大直径晶圆，将可望有助于实现高散热性器件，在实验中发现其热导率最高仅次与金刚石的第二热导率。

此外，最近几年3C-SiC块材和硅基3C-SiC取得了巨大进展，业界也开始慢慢关注这个材料。其优势在于：

1）据报道，硅基3C-SiC MOSFET的n沟道迁移率范围为100-370 cm2/V·s。京都大学通过氮气钝化在A面上创建SiC MOSFET，将沟道迁移率提升到131 cm2/V·s；

2）SiC MOSFET核心技术瓶颈集中在栅氧层界面质量差，而3C-SiC和绝缘氧化物栅之间的界面陷阱浓度低得多，有助于制造可靠和长寿命的器件；

3）4H-SiC和GaN的加工与传统硅完全不同，更具挑战性。相比之下，低能禁带宽度的3C-SiC更接近硅，这在加工成器件时具有许多好处。

因此，3C-SiC被认为是“明日之星”，前景备受看好。中国粉体网将于2023年12月20-21日在湖北宜昌举办“第六届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”，届时西安博尔新材料有限公司董事长王晓刚将带来《3C-SiC的结构优势与应用前景》的报告。欢迎报名参会~

来源：

行家说三代半：液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

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（中国粉体网编辑整理/空青）

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