中国粉体网讯  11月4日，晶盛机电举行“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着晶盛机电在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。

此次签约项目总投资21.2亿元，建成后，晶盛机电将利用自身的技术和资源优势，加快碳化硅衬底片的关键核心技术攻关和产业化，加速推进第三代半导体材料国产化进程。

盛晶电机自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，相继成功开发6英寸、8英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8英寸衬底片处于小批量试制阶段。

作为第三代半导体材料，SiC具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、优异的导热性能等优点。其在高温、高压和高频应用中的出色性能使其成为半导体材料领域的基石。在下游需求增长的推动下，SiC产业正处于高速扩张阶段。根据亿渡数据，目前，国内衬底产能布局以4-6英寸为主，已有25家企业已在衬底环节布局，新项目投资额约为300亿元。

国内外碳化硅衬底厂商产能规划，来源：申万宏源

全球碳化硅衬底市场规模保持高速增长，预计2022-2026年CAGR将达 24.8%。 根据Yole及Wolfspeed数据，2022年全球碳化硅衬底市场规模为7亿美元， 预计2024年市场规模将增长至12.5亿美元，预计2026年市场规模将增长至 17亿美元，2022-2026年CAGR达24.8%。

作为国内领先的半导体材料装备企业，晶盛机电始终围绕“先进材料、先进装备”的双引擎可持续发展战略，深化半导体产业链的上下游协同合作，向下游晶体材料深加工延伸，通过技术创新、产业升级，聚力解决国家核心材料自主供给，保障国家战略安全，为我国半导体材料产业的发展注入新的活力。

来源：盛晶电机、未来智库

（中国粉体网编辑整理/空青）

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