【原创】2023年碳化硅衬底实力企业榜单

中国粉体网讯  在碳化硅生产流程中，衬底占整个碳化硅产业价值量的46%，为核心环节，类型可分为导电型和半绝缘型衬底。导电型SiC衬底可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变电等领域；半绝缘型SiC衬底可进一步制成HEMT等微波射频器件，应用于5G通讯、无线电探测等领域。

根据Wolfspeed的预测，预计至2026年，全球碳化硅材料(衬底+外延)市场规模将达17亿美元，相较于2022年提升近2.5倍。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地，目前我国碳化硅产业整体处于早期阶段，本土企业已开始加大布局力度，在技术升级与下游客户导入上均实现突破，国产替代正有序推进。

山东天岳先进科技股份有限公司

天岳先进成立于2010年11月，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。

天岳先进主要出货产品是半绝缘型碳化硅衬底，在2020年上半年，天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底占到全球30%的份额，仅次于II-VI的35%和Wolfspeed的33%排名第三。

产业进展：目前，6英寸导电型衬底已通过客户验证。2020年，天岳先进启动了8英寸碳化硅衬底的研发，并在ICSCRM2022上宣布成功研发了8英寸碳化硅衬底。目前，8英寸产品虽然未达到量产的程度，但项目研发进展顺利。上海临港工厂预计2023年内投产，2026年全部达产后年产导电型SiC晶腚2.6万块，对应导电型碳化硅衬底产品年产能将超过30万片。

三安光电股份有限公司

三安光电成立于2000年11月，于2008年7月在上海证券交易所挂牌上市。通过收购、合作、自研等方式，三安光电现已完成了碳化硅全产业链的建设，包括长晶衬体制作、外延生长、芯片制作、封装等环节。

产业进展：湖南三安半导体项目包括碳化硅长晶、衬底、外延、芯片等全产业链配套，一期项目长晶、衬底、外延、芯片车间已全线正式批量生产，月产能力2万片；二期工程预计2023年年底完成，全面达产后将实现50万片6寸碳化硅晶圆的年产能。据2022年年报显示，湖南三安电力电子碳化硅产能已达 12,000 片/月。

北京天科合达半导体股份有限公司

天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。

产业发展：2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，目前已突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，并在2022年11月发布8英寸导电型SiC单晶衬底。另外，天科合达还计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产。2022年产能约12-15万片/年，6英寸占比约三分之二，导电型为主。

山西烁科晶体有限公司

烁科晶体成立于2018年，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。

产业进展：已实现4、6英寸高纯半绝缘及导电型碳化硅单晶衬底产业化生产；在国内率先突破8英寸高纯半绝缘及导电型碳化硅单晶衬底制备工艺技术，并已实现小批量销售，工艺技术达到国际领先。此外，烁科晶体也计划引入战略投资，扩大融资，争取2023年上市，借助资本的力量把烁科的三代半导体事业做大做强。

露笑科技股份有限公司

露笑科技早前是一家主营业务为漆包线的企业，2018年开始布局碳化硅产业，公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，目前公司已经安装280台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。2020年宣布与合肥市长丰县人民政府共同投资建设第三代碳化硅产业园，包括生产碳化硅衬底、外延片，总投资100亿元。

产业发展：露笑科技已经实现6英寸导电型碳化硅衬底片的批量生产。2022年年报中，露笑科技表示，公司已经安装280台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。2022年6月露笑科技定增完成，实际募资25.10亿元，主要用于第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目、大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目以及补充流动资金，预计能够在2023年实现年产20万片的产能规划。

浙江东尼电子股份有限公司

东尼电子成立于2008年，2017年在上交所主板上市，专注于超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售。从2017年开始储备研发碳化硅衬底，与南京航空航天大学签订《产学研合作协议》，以及聘请中国台湾中央研究院物理研究所博士叶国伟博士和张忠杰博士牵头，技术由企业自主研发并已获得认可，打样送检结果良好。

产业进展：2022年东尼电子碳化硅衬底材料已形成阶段性成果，开始小批量供货。“年产12万片碳化硅半导体材料”项目尚在建设期，该项目技术要求高、迭代快，受研发进度、下游验证周期、项目组织管理、设备安装调试、通线试产、量产达标以及市场开发等多方面因素影响，存在不确定性，项目达产可能延期。

浙江晶盛机电股份有限公司

晶盛机电围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发一系列关键设备，并延伸至化合物衬底材料领域，为半导体、光伏行业提供全球极具竞争力的高端装备和高品质服务。

产业进展：6英寸导电型衬底已进入试验产线，产品通过下游部分客户验证。已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，并建设了6-8英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，通过持续加强技术创新和工艺积累，逐步实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控。晶盛机电总投资50亿的碳化硅衬底项目，主要生产6英寸及以上导电型和半绝缘型碳化硅衬底晶片，达产可实现6英寸碳化硅晶片40万片/年。

河北同光半导体股份有限公司

河北同光成立于2012年，专业从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括导电型、半绝缘型碳化硅衬底，是国内主要的碳化硅衬底生产企业。

产业发展：2020年3月，河北同光与涞源县人民政府签署协议，共建年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，核心产品为6英寸导电型碳化硅衬底，2021年8月一期已投产。此外，河北同光谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，到2025年末实现满产运营后，预计新增产值40-50亿元。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年，其前身为中原半导体研究所。世纪金光致力于第三代半导体碳化硅衬底材料和功率器件的研发与生产，是国内目前率先实现第三代半导体碳化硅全产业链贯通、规模量产6英寸导电型碳化硅衬底与即将量产MOSFET的企业。

产业发展：世纪金光碳化硅6英寸单晶已量产。2021年7月，世纪金光投资的第三地半导体碳化硅芯片项目，主要建设年产22万片6~8英寸碳化硅芯片生产线。2022年9月初，子公司合肥世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目投产；2022年第四季度6英寸导电型单晶衬底产品正式交付客户，持续提升产品综合良率和产量；2022年9月底，世纪金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件CGE2M120080。

来源：各大企业官网、年报、企业公众号、中国粉体网

DT半导体：研报|衬底篇：工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿

（中国粉体网编辑整理/空青）

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