当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。唐山晶玉科技股份有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
唐山晶玉科技股份有限公司成立于2009年，从事精密电子专用机床设备的研发、生产、销售，主导产品为高精密多线切割机，被广泛应用于磁性材料、半导体材料、蓝宝石、光学玻璃等硬脆性材料精密加工领域。
公司先后获得国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业、国家技术创新示范企业、国家绿色工厂、省制造业单项冠军企业等荣誉称号；建有国家企业技术中心、国家级工业设计中心、半导体精密加工技术国家地方联合工程研究中心等创新研发平台；多项技术产品荣获中国工业优秀设计奖金奖、创客中国创新创业大赛、河北省科学技术奖等奖项。
自创立伊始，晶玉科技始终秉承“持续创新，品质至上，成就用户，追求卓越”的核心价值观，不断实现跨越式发展。未来，晶玉科技将以“聚资聚智聚人才，创新创业创未来”为统领，补链、延链和强链，致力于为用户提供更加优质、高效、智能的电子专用设备，积极推动行业技术创新和发展，助力电子产业的蓬勃发展。
产品介绍
1、YBDX7050多线切割机
产品介绍
· 本机主要用于切割单晶硅、陶瓷、玻璃、贵重金属等硬脆材料，应用金刚石线切割。
· 采用双墙结构罗拉，保证主轴高速运转稳定、可靠。
· 采用下置工作台加工方式，切割过程工件摇摆，提高切割效率。
· 放线轮轻量化设计，储线量提高。
技术参数 | |
最大工件尺寸（宽×长×高）mm | 摇摆：700×500×700 |
切割片厚范围（mm) | 1.5-30直片 |
槽轮参数(mm) | Φ140-Φ160×500 四轴 |
工作台升降行程（mm） | Max 785 |
摇摆角度（°） | ±7.5 |
切割线速度（m/min） | 最高1100 |
最大储线量（m） | 50000(0.25金刚石线) |
钢线直径（mm） | 0.13-0.37 |
总额定功率（kW） | 63.6 |
整机重量 | 12500 |
| 主机外形尺寸(宽×长×高)（mm | 2580×2845×3670 |
2、XQ80150单线切割机
产品介绍
· 本机主要使用金刚石线截断较大规格的脆硬性材料。
· 切割钢线具有摇摆功能。
· 工作台具有平移功能。
· 精简导轮数量，便于绕线。
技术参数 | |
最大工件尺寸（宽×长×高）mm | 800×800×1500 |
切割片厚范围（mm) | 1-1500直片 |
槽轮参数(mm) | Φ160*2导轮 |
工作台升降行程（mm） | Max 820 |
摇摆角度（°） | ±15 |
切割线速度（m/min） | 最高1200 |
最大储线量（m） | 20000(0.25金刚石线) |
钢线直径（mm） | 0.25-0.5 |
总额定功率（kW） | 25.6 |
整机重量 | 7500kg |
| 主机外形尺寸(宽×长×高)（mm | 3050×3900×2750 |
3、SXQ1400开方机
产品介绍
· 本机主要用于切割水晶、人造宝石、单脆材料晶硅、陶瓷、玻璃、贵重金属、磁性材料等硬脆材料。
· 采用下置双工位工作台加工方式，切割效率更高。
· 每个工位21个切割单元，每个切割单元的切割尺寸为170mmx70mmx160mm。
· 采用水平移动工作台。
技术参数 | |
最大工件尺寸（宽×长×高）mm | 170×70×160×42板(双工位) |
切割片厚范围（mm) | 1-70直片/R≥6，弦高≤25弧片 |
槽轮参数(mm) | Φ160X1430三导轮轴+导轮 |
工作台升降行程（mm） | Max 180 |
切割线速度（m/min） | 最高1200 |
最大储线量（m） | 20000(0.2金刚石线) |
钢线直径（mm） | 0.10-0.3 |
总额定功率（kW） | 66.5 |
整机重量 | 9000kg |
主机外形尺寸(宽×长×高)（mm） | 2240×3100×2380 |
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
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会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
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