当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G 通信、特高压、大数据中心等新基建领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。我国 “十四五” 规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，但与国际先进水平相比，在晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。
为加快推动我国 SiC 产业技术突破与成果转化，中国粉体网定于 2026 年 5 月 28 日在安徽合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，汇聚行业专家、学者及企业代表共探技术路径与产业机遇。
在此背景下，先进半导体晶体材料将于2026年5月28日在安徽·合肥举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。苏州浩晶真空半导体装备公司作为参展单位邀请您共同出席。
产品介绍
碳化硅电阻炉
碳化硅电阻炉最佳解决方案
1. 具备突波导流电路设计专利技术，完全抑制长晶工艺期间在真空环境大电流情况下的起弧打火，实时监控电能质量。
2. 使用闭环温度控制系统，配备高精度温度传感器和先进的温度控制器，实时监测和调节长晶过程中的温度变化，实现温度的精确控制。通过反馈控制算法，根据温度偏差自动调整加热功率，确保长晶温度的稳定性和重复性。
3. 主石墨加热器采用三相Y型设计，低电压高电流大功率输出，三相电源之三瓣式不同厚度及尺寸的石墨电阻加热器结构，使用上安全性及稳定性极高，可满足长时间工作下的工艺热场要求，寿命可达一年。
4. 主石墨加热器的特殊形状设计，并装置可移动之径向温度传感器，可以侦测得知并维持较低的径向温度梯度于7℃以内，确保晶锭周边的低应力晶体生长，降低位错密度稳定晶体质量。
5. 采用独特的真空缓冲区专利设计，热场保温之冷却罩与真空腔内壁保持一定的距离作为缓冲区，确保腔体核心晶体生长区域内高温热场的长期稳定性。
6. 热壁式真空腔体及内部热场冷却罩专利设计，全包覆式石墨硬毡隔热方式，保障热场不受外界温度微量变化而导致的不确定因素。
7.特殊专利冷却水分流系统及流量温度调节设计，分流控制各区域的冷却水流量温度及水路均匀性，各区域冷却水温度流量之关键参数，具备对热场最有效的保障。
会议主题：
1、碳化硅半导体产业现状、政策导向与未来市场展望
2、大尺寸（8 英寸及以上）SiC 晶体生长技术难点及突破路径
3、SiC 单晶生长用高纯碳粉与硅粉的纯度控制（杂质去除）及制备工艺
4、碳化硅晶体生长装备（长晶炉）关键部件（保温层、加热系统）应用进展
5、碳化硅衬底研磨 / 抛光工艺优化及专用耗材（磨料、抛光液）技术创新
6、SiC/TaC 涂层制备工艺及其在晶体生长设备中的应用性能
7、第三代半导体碳化硅的先进切割技术（机械切割、等离子切割）对比
8、激光技术（3D 激光隐切、飞秒激光）在碳化硅切割及划片上的应用与损耗控制
9、高平整度 SiC 衬底化学机械抛光（CMP）技术研究与良率提升
10、8 英寸碳化硅外延材料生长核心工艺（温度、压力控制）与关键装备选型
11、碳化硅衬底及外延层缺陷（微管、位错）检测技术与自动化设备应用
12、碳化硅晶片清洗工艺（超声清洗、化学清洗）与表面洁净度控制
13、SiC 晶体加工关键设备（抛光机、检测设备）国产化进程与性能对标
14、晶圆切割设备市场现状、技术趋势及国产替代案例分析
15、立方 SiC 单晶液相法生长的界面稳定性与晶体质量调控
16、车规级 SiC 晶圆可靠性测试（AEC-Q102 认证）适配技术
17、SiC 晶体生长 “黑匣子” 状态实时监测（温度、压力传感器）系统开发
18、碳化硅全产业链供应链（材料 - 设备 - 加工 - 应用）协同整合模式
报名送产业研究报告（限前50名）
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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