中国粉体网讯  近日，在东京国际展览中心举办的“NEPCON Japan 2026”电子制造及封装技术展览会上，英特尔首度公开展示集成嵌入式多芯片互连桥（EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技术、尺寸达78mm×77mm的巨型玻璃芯基板原型。

来源：英特尔

相较于有机基板，玻璃基板凭借优异的固有特性，在先进封装等领域展现出不可替代的优势。其热膨胀系数（CTE）可精准调控至3-4ppm/K，与硅芯片高度匹配，能大幅降低热循环过程中的热应力，有效抑制封装翘曲，解决有机基板因CTE失配导致的可靠性难题；此外，玻璃基板介电常数与介电损耗更低，能减少高频信号传输延迟与串扰，适配AI、HPC芯片的高频需求，同时高刚性可有效支撑超大尺寸封装，避免基板下垂变形，高热稳定性也更适配复杂封装工艺。

英特尔该技术方案可在78毫米×77毫米的封装尺寸内，实现相当于两倍标准掩模版的面积。从垂直横截面来看，该方案采用10-2-10的叠层架构：包含10层重布线层、2层玻璃芯（厚芯）层以及10层底部重布线层/增层。即便采用如此高密度的叠层设计，依托玻璃优异的材料特性，该方案仍可实现高密度布线，这也是其核心优势。值得关注的是，英特尔已在该封装内部集成了两个嵌入式多芯片互连桥，用以实现多个计算芯片间的互连。

来源:英特尔

该封装的尺寸规格，以及明确标注的“无晶圆级再分布层（No SeWaRe）”标识表明，此方案专为服务器级产品设计，例如AI加速器。不难看出，此次展示的EMIB与玻璃基板整合方案，对于提升AI架构性能上限至关重要：玻璃材料可实现精细互连、更优的焦深控制，并降低机械应力。若要让AI芯片在单个“超级封装”内集成数十个芯片粒，英特尔的这一技术路径是极具可行性的优选方案之一。

此次英特尔巨型玻璃芯基板原型的公开亮相，打破了外界对其玻璃基板技术“停滞研发”的猜测，标志着该技术已从实验室走向实际应用阶段。随着2026年成为玻璃基板商业化出货的关键节点，英特尔的这一技术路径或许将支撑其晶圆代工业务争夺AI加速器市场份额，为万亿参数AI模型、高性能计算等前沿领域的突破奠定坚实基础，引领先进封装技术从“晶体管小型化驱动”向“系统级整合驱动”的深刻转型。

参考来源:

英特尔

(中国粉体网编辑整理/月明)

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