美国回应中国镓出口管制：开发金刚石半导体！

中国粉体网讯  10月10日，据Tom's hardware报道，美国的军事装备已感受到中国限制芯片材料氮化镓出口造成的影响，面对中国在宽带隙半导体材料—氮化镓（GaN）供应方面的强势地位及其近期的出口管制措施，美国国防部高级研究计划局（DARPA）已采取行动，委托雷神（Raytheon）公司开发基于人造金刚石和氮化铝（AlN）的超宽带隙半导体，以确保美国的军事装备生产，显示出中国也能卡美国的脖子。

图源：Raytheon官网

氮化镓作为一种先进的宽带隙半导体材料，因其3.4eV的高带隙值，在高功率和高频应用中表现出色，成为当前雷达和通信系统的重要组成部分。然而，中国控制着全球大部分的氮化镓供应，并对其实施了出口管制，这对依赖此类材料的美国军事和通信技术构成了潜在威胁。

Raytheon的目标是利用人造金刚石和氮化铝这两种新材料，开发出性能更优越、适应性更强的功率芯片和射频放大器，包括在协同传感、电子战、定向能以及集成到高超音速等高速武器系统中的应用。

人造金刚石凭借5.5eV的超宽带隙，其高频性能、高电子迁移率、极端热管理能力和更高功率处理能力均超越了氮化镓，成为潜在的理想替代材料。而氮化铝的带隙更是高达6.2eV，进一步提升了其在高功率、高频应用中的优势。

根据DARPA的合同要求，雷神公司的先进技术团队将分阶段推进这一项目。在第一阶段，团队将专注于开发基于金刚石和氮化铝的半导体薄膜，为后续的应用打下坚实基础。第二阶段则将致力于研发和改进金刚石和氮化铝技术，以支持更大直径的晶圆生产，特别是针对传感器应用的需求。这两个阶段的工作必须在三年内完成，凸显了项目的紧迫性和重要性。

“这是向前迈出的重要一步，将再次彻底改变半导体技术，”Raytheon 先进技术总裁 Colin Whelan 说。“Raytheon 在为国防部系统开发类似材料（如砷化镓和氮化镓）方面拥有丰富的成熟经验。通过将这一开创性的历史和我们在先进微电子方面的专业知识相结合，我们将努力使这些材料成熟起来，迎接未来的应用。”

参考来源：

Tom's hardware官网，Raytheon官网，磨料磨具

（中国粉体网编辑整理/轻言）

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