52亿元！年产3000万片！氮化硅陶瓷基板项目签约浙江

中国粉体网讯  3月27日，嘉兴国家高新区（高照街道）一季度重大项目集中签约仪式举行，现场有四个重大项目签约浙江。

其中，总投资约52亿元的瓷新半导体材料总部项目计划建设年产3000万片的氮化硅基板及3000万片氮化硅覆铜板，项目投产后将有效填补国内高端氮化硅陶瓷材料产业空白，进一步完善高新区汽车功率半导体产业链，推动秀洲芯片产业做大做强。

Si₃N₄具有高导热、高强度、高韧性、低密度、自润滑性、优异的抗热震性，是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能最好的陶瓷基板材料，适用于IGBT、SiC等对大功率半导体器件等要求高可靠性的绝缘电路板用途。据ICR World数据显示，得益于新能源车的快速发展，2026年，全球氮化硅陶瓷基板行业总产值预计达1.83亿美元, 全球市场复合增长率达到8.16%。

（中国粉体网编辑整理/空青）

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